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MOSFET Vishay Si2387DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 3 A, SOT-23 de 3 pines, 2elementos


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2282814
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     Si2387DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2282814
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = P
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V
Serie = TrenchFET
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 11 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 2.5V
Número de Elementos por Chip = 2
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
11 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5V
Número de Elementos por Chip:
2
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, Si2387DST1GE3
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 0,219*
  
Precio válido a partir de 2.500 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 25 unidades
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a partir de 2500 unidades
€ 0,219*
€ 0,265
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