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IGBT, FF450R33T3E3BPSA1, N-Canal, 450 A, 3300 V., XHP, 3-Pines 2


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2266055
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF450R33T3E3BPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
El módulo IGBT doble Infineon FF450R33T3E3 tiene alta estabilidad dc y alta capacidad de cortocircuito con alta fiabilidad y larga vida útil. Tiene baja inductancia y reduce el coste del sistema.Baja VCEsat Solidez insuperable TVJ op 150°C. VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
450 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
3300 V.
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
20V
Disipación de Potencia Máxima:
1 mW
Número de transistores:
2
Configuración:
Doble
Tipo de Encapsulado:
XHP
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, Transistores, Transistor, transistor igbt, 2266055, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FF450R33T3E3BPSA1
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