N.º art.: 3318E-2259931
N.º fabricante: SIR5802DP-T1-RE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 137,5 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = POWERPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,004 Ω Tensión de umbral de puerta máxima = 4V Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
137,5 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
POWERPAK SO-8
Serie:
N-Channel 80 V
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,004 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
2259931 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SIR5802DPT1RE3
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