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MOSFET Vishay SIHP5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, TO-220AB de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2259919
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP5N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V
Serie = E-Series
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1,35 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 4V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
4,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
800 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
E-Series
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,35 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2259919, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHP5N80AEGE3
Resumen de condiciones1
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€ 0,841*
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