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MOSFET Vishay SIHB053N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 47 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2259910
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB053N60E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2259910
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.Tecnología de la serie E de 4th generación Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja Baja capacitancia efectiva (Co(er)) Menores pérdidas por conmutación y conducción Energía nominal de avalancha (UIS)
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
E-Series
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,054 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SIHB053N60EGE3
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 4,178*
  
Precio válido a partir de 200 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 2 unidades
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Bruto
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a partir de 20 unidades
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a partir de 50 unidades
€ 4,798*
€ 5,806
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a partir de 100 unidades
€ 4,515*
€ 5,463
por unidad
a partir de 200 unidades
€ 4,178*
€ 5,055
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.