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| N.º art.:
3318E-2250679 N.º fabricante:
STWA68N65DM6AG EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 72 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V
Tipo de Encapsulado = TO-247
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,039 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.75V
Número de Elementos por Chip = 2 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 72 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,039 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.75V | Número de Elementos por Chip: | 2 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2250679, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STWA68N65DM6AG |
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