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| N.º art.:
3318E-2238456 N.º fabricante:
AUIRFR5305TRL EAN/GTIN:
Sin datos |
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| MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo con homologación para automoción Infineon en un encapsulado D2-pak. El diseño celular de los MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr baja resistencia de conexión por área de silicio. Se utiliza en automoción y en una amplia variedad de aplicaciones gracias a la velocidad de conmutación rápida y al dispositivo resistente.Tecnología plana Advanced Valor nominal DV/DT dinámico Temperatura de funcionamiento de 175 °C Conmutación rápida Sin cables En conformidad con RoHS Más información: | | Tipo de Canal: | P | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 31 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 55 V | Tipo de Encapsulado: | DPAK (TO-252) | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,065 Ω | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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