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MOSFET ROHM RQ7G080ATTCR, VDSS 40 V, ID 8 A, TSMT-8 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2236376
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RQ7G080ATTCR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2236376
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = P
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Tipo de Encapsulado = TSMT-8
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,018 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima = 2.5V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
TSMT-8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,018 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: ROHM, RQ7G080ATTCR
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 1000 unidades
€ 0,35*
€ 0,424
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