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IGBT, RGS30TSX2GC11, 30 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2236319
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RGS30TSX2GC11
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
El IGBT de zanja de parada de campo ROHM se utiliza principalmente en PFC, SAI, IH y acondicionadores de potencia. La disipación de potencia es de 267 Watts.Tensión de saturación del colector-emisor baja Tiempo de resistencia a cortocircuito de 10μs En conformidad con RoHS
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±30V
Disipación de Potencia Máxima:
267 W
Número de transistores:
1
Configuración:
Único
Tipo de Encapsulado:
TO-247N
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2236319, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, ROHM, RGS30TSX2GC11
Resumen de condiciones1
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€ 4,547
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