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MOSFET ROHM HS8MA2TCR1, VDSS 30 V, ID 5,5 A, 7 A, DFN3333-9DC de 9 pines, 2elementos


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2236203
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     HS8MA2TCR1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
El MOSFET de señal pequeña ROHM tiene un tipo de encapsulado TSMT8. Se utiliza principalmente para conmutación.Baja resistencia de encendido Encapsulado pequeño para montaje superficial Chapado sin plomo, conforme con RoHS
Más información:
Tipo de Canal:
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
5,5 A, 7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
DFN3333-9DC
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
9
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,08 Ω, 0,035 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5 V, 2.5 V
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: 2236203, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, HS8MA2TCR1
Resumen de condiciones1
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