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MOSFET Infineon IMZ120R045M1XKSA1, VDSS 1.200 V, ID 52 A, TO-247-4 de 4 pines


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2224864
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMZ120R045M1XKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1.200 V y 45 mΩ SiC en encapsulado TO247-4 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas.Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V. Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo Amplio rango de tensión de fuente de puerta Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247-4
Serie:
IMZ1
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
45 m.Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.5V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 2224864, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IMZ120R045M1XKSA1
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