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IGBT, FF600R12KE4BOSA1, N-Canal, 600 A, 1.200 V, AG-62MM Emisor común


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2224794
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF600R12KE4BOSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
El módulo IGBT doble Infineon de 62 mm, 1.200 V, 600 A con TRENCHSTOP™ IGBT4 y diodo controlado por emisor. También disponible como variación con el emisor común:FF600R12KE4_E.En conformidad con RoHS Aislamiento de 4 kV ac 1 min Paquete con CTI > Distancias de margen y aumento del margen de fluencia alto Certificación UL/CSA con UL1557 E83336
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
600 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
20V
Disipación de Potencia Máxima:
1,2 kW
Configuración:
Doble
Tipo de Encapsulado:
AG-62MM
Tipo de Canal:
N
Configuración de transistor:
Emisor común
Otros conceptos de búsqueda: 2224794, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FF600R12KE4BOSA1
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a partir de 5 unidades
€ 219,107*
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