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IGBT, 1ED44175N01BXTSA1, N-Canal, 11,9 A, 11,4 V, PG-SOT23-6-3, 6-Pines Emisor común


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2224757
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     1ED44175N01BXTSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 11,9 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 11,4 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V
Disipación de Potencia Máxima = 500 mW
Tipo de Encapsulado = PG-SOT23-6-3
Tipo de Canal = N
Conteo de Pines = 6
Configuración de transistor = Emisor común
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
11,9 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
11,4 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
20V
Disipación de Potencia Máxima:
500 mW
Tipo de Encapsulado:
PG-SOT23-6-3
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
6
Configuración de transistor:
Emisor común
Otros conceptos de búsqueda: 2224757, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, 1ED44175N01BXTSA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 150 unidades
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a partir de 375 unidades
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a partir de 750 unidades
€ 0,48*
€ 0,58
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