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| N.º art.:
3318E-2224745 N.º fabricante:
IRFH5250TRPBF EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El ″efecto de campo″ significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.RDSon bajo (<1,15 mΩ) Baja resistencia térmica a PCB (<0,8 °C/W) Probado 100 % RG Perfil bajo (<0,9 mm) Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 100 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 25 V | Tipo de Encapsulado: | PQFN 5 x 6 | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,00115 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.35V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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