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| N.º art.:
3318E-2224738 N.º fabricante:
IRF6636TRPBF EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El diseño Infineon de la tecnología HEXFET® Power MOSFET Silicon con el encapsulado Direct FETTM Advanced para lograr la resistencia de estado en funcionamiento más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de UN perfil SO-8 y solo 0,7 mm. El encapsulado DirectFET es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por convección, cuando se sigue la nota DE aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación.100 % RG probado bajo nivel de conducción y pérdidas de conmutación Inductancia de encapsulado ultra baja ideal para convertidores dc-dc de núcleo de CPU Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 81 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 20 V | Tipo de Encapsulado: | DirectFET ISOMETRIC | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0064 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.45V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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