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| N.º art.:
3318E-2224709 N.º fabricante:
IPSA70R1K4P7SAKMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El último Cool MOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.Validación del producto conforme Estándar JEDEC Pérdidas de conmutación bajas (Eoss) Diodo de protección ESD integrado Excelente comportamiento térmico Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 4 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 700 V | Tipo de Encapsulado: | IPAK (TO-251) | Serie: | CoolMOS™ | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.0014 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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