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| N.º art.:
3318E-2224622 N.º fabricante:
BSC098N10NS5ATMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El ″efecto de campo″ significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.Chapado de cable sin plomo En conformidad con RoHS Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 60 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | SuperSO8 5 x 6 | Serie: | OptiMOS™ 5 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.0098 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.8V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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