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| N.º art.:
3318E-2196013 N.º fabricante:
IPT60R150G7XTMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| La serie de MOSFET de superunión de oro CoolMOS C7 de Infineon (G7) aúna las ventajas de la tecnología CoolMOS™ C7 Gold de 600V nm mejorada, Capacidad de fuente Kelvin de 4pin W y las propiedades térmicas mejoradas del encapsulado TO-Leadless (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) de hasta 3kW A y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.Proporciona el mejor FOM R DS(on)XE oss y R DS(on)xQ G Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño Configuración de fuente Kelvin de 4 contactos incorporada e inductancia de fuente parásita baja (∼1nH uF) Cumple con MSL1, sin plomo total, tiene cables ranurados de inspección Easy Visual Permite mejorar el rendimiento térmico R th Mayor eficiencia gracias a la tecnología C7 Gold mejorada y a la conmutación más rápida Densidad de potencia mejorada gracias a la baja R DS(on) en tamaño pequeño, sustituyendo LOS ENCAPSULADOS TO (restricciones de altura) o encapsulados SMD paralelos gracias a los requisitos térmicos o R DS(on) Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 23 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | HSOF-8 | Serie: | C7 GOLD | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,15 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2196013, Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET, Infineon, IPT60R150G7XTMA1 |
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