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| N.º art.:
3318E-2196011 N.º fabricante:
IPP80R360P7XKSA1 EAN/GTIN:
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| La serie de MOSFET de superunión CoolMOS P7 de 800V V Infineon es una solución perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia ya que satisface completamente las necesidades del mercado en cuanto a rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura de MOSFET de 2 °C a 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia mediante pérdidas de conmutación más bajas y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de listas de materiales y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.Fácil de manejar y diseñar Mejor rendimiento de producción al reducir los fallos relacionados con ESD Menos problemas de producción y menor rendimiento en campo Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar los diseños Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 13 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 800 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220 | Serie: | CoolMOS™ | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,36 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 3.5V | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2196011, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPP80R360P7XKSA1 |
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