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Módulo IGBT, FP50R12KT4PBPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, EASY2B 7


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2184356
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FP50R12KT4PBPSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V
Disipación de Potencia Máxima = 20 mW
Tipo de Encapsulado = EASY2B
Tipo de Canal = N
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
20V
Disipación de Potencia Máxima:
20 mW
Número de transistores:
7
Tipo de Encapsulado:
EASY2B
Tipo de Canal:
N
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 2184356, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FP50R12KT4PBPSA1
Resumen de condiciones1
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1 envase contiene 10 unidades (€ 102,805* por unidad)
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