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| N.º art.:
3318E-2173687 N.º fabricante:
71V416S10PHGI EAN/GTIN:
Sin datos |
| | Términos de búsqueda: SRAM |
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| La SRAM CMOS de 3,3 V de la serie 71V416 de Renesas Electronics está organizada como 256K x 16. Todas las entradas y salidas bidireccionales del 71V416 son compatibles con LVTTL y funcionan con una única fuente de alimentación de 3,3 V. Tiene un recuento de 44 derivaciones y un tipo de encapsulado TSOP. La SRAM tiene un grado de temperatura I.Configuración de contactos de alimentación central / GND JEDEC para reducir el ruido. Igualdad de acceso y tiempos de ciclo - Comercial e Industrial: 10/12/15ns Selección de un chip más un contacto de activación de salida Entradas y salidas de datos bidireccionales directamente Compatible con LVTTL Más información: | | Tamaño de la Memoria: | 4Mbit | Organización: | 256K x 16 | Número de Palabras: | 256K | Número de Bits de Palabra: | 16bit | Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: | 10ns | Baja Potencia: | Sí | Tipo de Temporizador: | Asíncrono | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | TSOP-44 | Conteo de Pines: | 44 | Dimensiones: | 18.41 x 10.16 x 1mm | Altura: | 1mm | Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: | 3,6 V | Longitud: | 18.41mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +85 °C |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2173687, Semiconductores, Chips de Memoria, Memorias SRAM, Renesas Electronics, 71V416S10PHGI |
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