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| N.º art.:
3318E-2169695 N.º fabricante:
TSM150NB04LCR EAN/GTIN:
Sin datos |
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| no fundicionesLos transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El ″efecto de campo″ significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG Más información: | | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 41 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | PDFN56 | Serie: | TSM025 | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 15 m.Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.5V | Material del transistor: | Silicio |
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