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IGBT, AIKW75N60CTXKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2156622
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     AIKW75N60CTXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con coeficiente de temperatura positivo en tensión de saturación.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
428 W
Tipo de Encapsulado:
PG-TO247-3
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2156622, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, AIKW75N60CTXKSA1
Resumen de condiciones1
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