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| N.º art.:
3318E-2149060 N.º fabricante:
IPG20N04S4L08AATMA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V
Serie = OptiMOS™ -T2
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,0082 O
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 2.2V
Número de Elementos por Chip = 2 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 20 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | SuperSO8 5 x 6 doble | Serie: | OptiMOS™ -T2 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0082 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2.2V | Número de Elementos por Chip: | 2 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2149060, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPG20N04S4L08AATMA1 |
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