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| N.º art.:
3318E-2149002 N.º fabricante:
IPA65R190C7XKSA1 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. La gama de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de súper unión de conmutación rápida que ofrecen mejor eficiencia, carga de puerta reducida, fácil implementación y excelente fiabilidad.Fácil de usar/conducir Ofrece ahorro en el coste/tamaño del sistema debido a la reducción requisitos de refrigeración Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 8 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220 FP | Serie: | CoolMOS C7 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,19 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2149002, Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET, Infineon, IPA65R190C7XKSA1 |
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