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| N.º art.:
3318E-2148960 N.º fabricante:
AUIRFS8407TRL EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.Tecnología de procesos avanzados Nueva resistencia de conexión ultrabaja Apto para automoción Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 250 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 40 V | Tipo de Encapsulado: | D2PAK (TO-263) | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,0018 O | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2148960, Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET, Infineon, AUIRFS8407TRL |
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