N.º art.: 3318E-2144349
N.º fabricante: IPA041N04NGXKSA1
EAN/GTIN: Sin datos
Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 dispone no solo de R DS(on) más bajo del sector, sino también de un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Advanced Thin Wafer ha conseguido un 15 % menos de R DS(on) y un 31 % menos de mérito (R DS(on) x Q g) en comparación con dispositivos alternativos.No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220 FP
Serie:
OptiMOS 3
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0.0041 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Número de Elementos por Chip:
1
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