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| N.º art.: 3318E-2122109 N.º fabricante: STWA68N65DM6 EAN/GTIN: Sin datos |
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| Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 48 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = STWA68N65DM6 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0.059 Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umbral de puerta máxima = 4.75V Material del transistor = Si Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 48 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | STWA68N65DM6 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0.059 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.75V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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| Otros conceptos de búsqueda: 2122109, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STWA68N65DM6 |
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