N.º art.: 3318E-2122108
N.º fabricante: STWA68N65DM6
EAN/GTIN: Sin datos
MOSFET DE CANAL N MDMESH M6STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una mejora excelente en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y el convertidor de cambio de fase ZVS.Diodo de cuerpo de recuperación rápida Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia 100 % a prueba de avalancha Resistencia dv/dt extremadamente alta
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
48 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
STWA68N65DM6
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0.059 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.75V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
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