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MOSFET Vishay SIHB21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2104977
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHB21N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) con corriente de drenaje de 17,4 A.Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja Baja capacitancia efectiva (Co(er)) Menores pérdidas por conmutación y conducción Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
17,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
800 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
E
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0.205 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima:
2 → 4V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2104977, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHB21N80AEGE3
Resumen de condiciones1
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€ 2,19
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