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MOSFET Toshiba TPH1R306PL,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 100 A, SOP de 8 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2069789
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     TPH1R306PL,L1Q(M
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad. Se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta eficiencia, reguladores de tensión de conmutación y controladores de motor.¿Baja resistencia de conexión de fuente-drenador de 1,0 m? Temperatura de almacenamiento: -55 a 175 °C.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SOP
Serie:
TPH1R306PL
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
2.3 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2069789, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, TPH1R306PL,L1Q(M
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 8.180,00*
1 envase contiene 5.000 unidades (€ 1,636* por unidad)
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