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IGBT, STGB30H65DFB2, 50 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines 1


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2049868
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STGB30H65DFB2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V
Disipación de Potencia Máxima = 167 W
Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263)
Conteo de Pines = 3
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
167 W
Número de transistores:
1
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2049868, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, STMicroelectronics, STGB30H65DFB2
Resumen de condiciones1
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a partir de 500 unidades
€ 1,25*
€ 1,513
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