N.º art.: 3318E-2047214
N.º fabricante: SiJ462ADP-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) tiene un QG muy bajo y QOSS reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia. Sus cables flexibles proporcionan resistencia a la tensión mecánica.MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV 100 % RG y prueba UIS
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
39,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK SO-8L
Serie:
SiJ462ADP
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,0072 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
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2047214 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Vishay ,
SiJ462ADPT1GE3
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