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Transistor MOSFET onsemi NVH4L160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 de 4 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2025741
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NVH4L160N120SC1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Serie = NVH
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,16 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.3V
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
17,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247-4
Serie:
NVH
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,16 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.3V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet, 2025741, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NVH4L160N120SC1
Resumen de condiciones1
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