|  |
| |
| N.º art.:
3318E-2025703 N.º fabricante:
NTH4L160N120SC1 EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Serie = NTH
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,224 Ω
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.3V
Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 17,3 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 1.200 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247-4 | Serie: | NTH | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 4 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,224 Ω | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.3V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: 2025703, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTH4L160N120SC1 |
| | |
| |