|  |
| |
| N.º art.:
3318E-2025555 N.º fabricante:
STWA70N65DM6 EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.100 % a prueba de avalancha Protección Zener Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 68 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | ST | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,036 Ω | Modo de Canal: | Reducción | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.75V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |