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| N.º art.:
3318E-2025552 N.º fabricante:
STWA67N60M6 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V
Tipo de Encapsulado = TO-247
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,045 Ω
Modo de Canal = Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima = 4.75V
Número de Elementos por Chip = 1 Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 52 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | ST | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 0,045 Ω | Modo de Canal: | Reducción | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.75V | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | SiC |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet, 2025552, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STWA67N60M6 |
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