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Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW100N65G2AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2025486
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     SCTW100N65G2AG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2025486
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V
Serie = SCT
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0,105 Ω
Modo de Canal = Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima = 5V
Material del transistor = SiC
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
H2PAK-7
Serie:
SCT
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,105 Ω
Modo de Canal:
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
Otros conceptos de búsqueda: STMicroelectronics, SCTW100N65G2AG
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a partir de 10 unidades
€ 30,74*
€ 37,195
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