N.º art.: 3318E-2025485
N.º fabricante: SCTW100N65G2AG
EAN/GTIN: Sin datos
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto Baja capacitancia
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
1.200 V
Tipo de Encapsulado:
H2PAK-7
Serie:
SCT
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,105 Ω
Modo de Canal:
Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
SiC
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