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MOSFET Vishay SIHP186N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 12 A, 18 A., TO-220AB de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2006819
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP186N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
2006819
Semiconductores
Semiconductores Discretos
MOSFET
El Vishay SIHP186N60EF-GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.Tecnología de la serie E de 4th generación Figura de mérito baja Baja capacitancia efectiva Menores pérdidas por conmutación y conducción Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
12 A, 18 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
EF
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
0,193 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Vishay, SIHP186N60EFGE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
a partir de € 2,142*
  
Precio válido a partir de 250 unidades
Pedidos sólo en múltiplos de 10 unidades
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€ 2,683*
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a partir de 50 unidades
€ 2,426*
€ 2,935
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a partir de 100 unidades
€ 2,283*
€ 2,762
por unidad
a partir de 250 unidades
€ 2,142*
€ 2,592
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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