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AEC-Q101 Diodo, FFSP2065BDN-F085OS, 20A, 650V Schottky SiC, TO-220, 3-Pines 2.4V, Schottky SiC


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-1952627
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FFSP2065BDN-F085
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Diodo Schottky
Diodos Schottky
Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad que el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, características de conmutación independiente de temperatura y excelentes conjuntos de rendimiento térmico, el carburo de silicio es la próxima generación de semiconductores de potencia. Las ventajas para el sistema incluyen mayor eficacia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, EMI reducidas y menor tamaño y costes del sistema.Temperatura de conexión máx. 175°C Capacidad de corriente de transitorios alta Coeficiente de temperatura positivo Fácil conexión en paralelo Sin recuperación inversa / sin recuperación directa Estos dispositivos no contienen plomo, sin BFR/libre de halógenos Cargadores a bordo para vehículos HEV-EV Convertidores dc-dc para vehículos HEV-EV
Más información:
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Tipo de Encapsulado:
TO-220
Corriente Continua Máxima Directa:
20A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico:
650V
Configuración de diodo:
2 pares de cátodos comunes
Tipo de Rectificador:
Diodo Schottky
Tipo de Diodo:
Schottky SiC
Conteo de Pines:
3
Caída de tensión directa máxima:
2.4V
Número de Elementos por Chip:
2
Tecnología de diodo:
Schottky SiC
Otros conceptos de búsqueda: Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, diodos de barrera schottky, 1952627, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos Schottky y Rectificadores, onsemi, FFSP2065BDNF085
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