AEC-Q100 Memoria flash, CFI S29GL01GS11TFI010 1024Mbit, 128M x 8 bits, 110ns, TSOP, 56 pines

Núcleo CMOS de 3.0 voltios con E/S Versátil Tecnología Eclipse MirrorBit de 65 Alimentación única (VCC) para lectura / programa / borrado (2.7 V a 3.6 V) Función de E/S versátil Amplio rango de tensión de E/S (vio): 1.65 V a VCC x16 bus de datos Lectura de página asincrónica de 32 bytes Búfer de programación de 512 bytes Programación en múltiplos de páginas, hasta un máximo de 512 bytes Una sola palabra y varios programas en las mismas opciones de palabra Comprobación y corrección automática de errores (ECC) ECC de hardware interno con corrección de errores de un bit Borrado De Sector Sectores uniformes de 128 Kb Comandos Suspender y Reanudar para las operaciones Programa y Borrar Registro de estado, Sondeo de datos y métodos PIN de listo/Ocupado para determinar el estado del dispositivo Protección Advanced Sector (Asp) Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector Matriz independiente de un programa De Tiempo (OTP) de 1024 bytes con dos regiones bloqueables Tabla de parámetros de la interfaz flash común (CFI) Rango De Temperatura / Grado Industrial (-40 °C a +85 °C) Industrial Plus (-40 °C a +105 °C) 100,000 Programar / Borrar Ciclos 20 Años De Retención De Datos Opciones De Embalaje TSOP de 56 pines LAA de 64 bolas BGA fortificada, 13 mm x 11 mm LAE de 64 bolas BGA fortificada, 9 mm x 9 mm BGA fortificada VBU de 56 bolas, 9 mm x 7 mm