| |
|
| N.º art.: 3318E-1938784 N.º fabricante: S29AL008J70TFI013 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| | |
| El S29AL008J es una memoria Flash de 8 Mbit y 3.0 voltios organizada como 1.048.576 bytes o 524,288 palabras. El dispositivo se ofrece en paquetes TSOP de 0.8 bolas de paso fino (48 mm de paso) y 48 patillas. Los datos de ancho de palabra (x16) aparecen en DQ15–DQ0, los datos de ancho de byte (x8) aparecen en DQ7–DQ0. Este dispositivo está diseñado para ser programado en el sistema con el suministro VCC de 3.0 voltios del sistema estándar. No se requiere un VPP de 12.0 V o un VCC de 5.0 V para operaciones de escritura o borrado. El dispositivo también se puede programar en programadores EPROM estándar. El dispositivo ofrece tiempos de acceso de hasta 55 ns, lo que permite que los microprocesadores de alta velocidad funcionen sin estados de espera. Para eliminar la contención de bus, el dispositivo tiene controles independientes de habilitación de chip (CE#), habilitación de escritura (WE#) y habilitación de salida (OE#). La programación del dispositivo se produce ejecutando la secuencia de comandos del programa. Esto inicia el algoritmo del programa incrustado un algoritmo interno que automáticamente times los anchos de pulso del programa y verifica el margen de celda correcto. El modo de omisión de desbloqueo facilita faster programming times al requerir sólo dos ciclos de escritura para programar datos en lugar de cuatro. El borrado del dispositivo se produce ejecutando la secuencia de comandos ERASE. Esto inicia el algoritmo de borrado incorporado un algoritmo interno que preprograma automáticamente la matriz (si no está ya programada) antes de ejecutar la operación de borrado. Duringerase, el dispositivo activa automáticamente los anchos de pulso de borrado y verifica el margen de celda correcto. El sistema host puede detectar si un programa o operación de borrado se ha completado observando el pin RY/BY# o leyendo los bits de estado DQ7(Sondeo de Data#) y DQ6 (conmutador). Una vez completado un programa o ciclo de borrado, el dispositivo está listo para leer datos de matriz o aceptar otro comando. Más información: | | Tamaño de la Memoria: | 8Mbit | Tipo de Interfaz: | CFI | Tipo de Encapsulado: | TSOP | Conteo de Pines: | 48 | Organización: | 1M x 8 bit | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Célula: | NI | Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: | 2,7 V | Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: | 3,6 V | Organización de Bloques: | Asimétrico | Longitud: | 12mm | Altura: | 1.05mm | Ancho: | 18.4mm | Dimensiones: | 18.4 x 12 x 1.05mm | Estándar de automoción: | AEC-Q100 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: 1938784, Semiconductores, Chips de Memoria, Memorias Flash, Infineon, S29AL008J70TFI013 |
| | |
| |