Memoria SRAM Infineon, 4Mbit, 256k x 16 bits, 1MHZ, TSOP II-44, VCC máx. 3,6 V

Velocidad muy alta: 45 ns Rango de temperaturas Industrial: De –40 °C a +85 °C. Amplio rango de tensión: De 2.20 V a 3.60 V. Potencia de espera ultra baja Corriente de espera típica: 1 A Corriente de espera máxima: 7 A (industrial) Potencia activa ultrabaja Corriente activa típica: 2 mA a f = 1 MHz Fácil expansión de memoria con las funciones CE1, CE2 y OE Apagado automático cuando se anula la selección Semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas Disponible en encapsulado TSOP II (paquete de contorno pequeño fino) de 44 pines sin Pb Función de apagado de bytes