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MOSFET IXYS IXFH110N10P, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-193492
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFH110N10P
EAN/GTIN:
     5059041202299
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
HiperFET, Polar
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
15 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Disipación de Potencia Máxima:
480000 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
16.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 193492, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IXYS, IXFH110N10P
Resumen de condiciones1
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€ 4,584*
€ 5,547
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Tipo
Imagen
Artículo
Fabricante/N.º
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