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| N.º art.:
3318E-1924925 N.º fabricante:
STP26N60DM6 EAN/GTIN:
5059045419976 |
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| Este MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida DM6 de MDmesh™. En comparación con la generación rápida anterior de MDmesh, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con un comportamiento de conmutación eficaz para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.Diodo de cuerpo de recuperación rápida RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior Baja carga de compuerta, capacitancia de entrada y resistencia Muy alta resistencia dv/dt Protección Zener Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 15 A | Tipo de Encapsulado: | TO-220 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 195 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4.75V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 3.25V | Disipación de Potencia Máxima: | 110 W | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | ±25 V | Longitud: | 10.4mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +150 °C | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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