N.º art.: 3318E-1924652
N.º fabricante: STF18N60M6
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal = N
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
13 A
Tipo de Encapsulado:
TO-220FP
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
280 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima:
3.25V
Disipación de Potencia Máxima:
25 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±25 V
Longitud:
10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: transistor de potencia ,
1924652 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
MOSFET ,
STMicroelectronics ,
STF18N60M6
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