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AEC-Q100 Chip EEPROM M93S46-WMN6P STMicroelectronics, 1kbit, 128 x, 8bit, Serie I2C, 200ns, 8 pines SOIC


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1906772
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     M93S46-WMN6P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Memoria EEPROM
Memorias EEPROM
memoria eeprom
Los dispositivos M93S46, M93S56, M93S66 son memorias programables Borrables Eléctricamente (EPROMs) organizadas como 64, 128 o 256 palabras (una palabra es 16 bits), a las que se accede a través del bus MICROWIRE. El M93S46, M93S56, M93S66 puede funcionar con una tensión de alimentación de 2,5 V a 5,5 V en un rango de temperatura ambiente de 40 °C / +85 °C.Compatible con interfaz serie de bus MICROWIRE Matriz de memoria 1 Kbit, 2 Kbit o 4 Kbit de la memoria EEPROM Organizado por Word (16b) Página = 4 palabras Escriba Escritura de bytes en 5 ms Escritura de página en 5 ms Señal de listo/ocupado durante la programación Área protegida de escritura definida por el usuario Reloj de alta velocidad: 2 MHz Tensión de alimentación única: 2,5 V a 5,5 V. Rango de temperatura de funcionamiento: De -40 °C a +85 °C. Protección avanzada contra descargas electroestáticas Más de 4 millones de ciclos de escritura Más de 200 años de retención de datos Paquetes PDIP8 TSSOP8 SO8
Más información:
Tamaño de la Memoria:
1kbit
Tipo de Interfaz:
Serie I2C
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Organización:
128 x 8
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima:
2,5 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento:
5,5 V
Tensión de Programación:
2.5 → 5.5V
Número de Bits de Palabra:
8bit
Dimensiones:
5 x 4 x 1.5mm
Estándar de automoción:
AEC-Q100
Data Retention:
200año
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+85 °C
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo:
200ns
Otros conceptos de búsqueda: 1906772, Semiconductores, Chips de Memoria, EEPROM, STMicroelectronics, M93S46WMN6P
Resumen de condiciones1
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Precio
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