MOSFET onsemi NTMJS1D6N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 250 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple

Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Tipo de Encapsulado = LFPAK8
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2,3 mΩ
Modo de Canal = Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima = 2V
Tensión de umbral de puerta mínima = 1.2V
Disipación de Potencia Máxima = 167 W
Configuración de transistor = Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente = ±20 V
Número de Elementos por Chip = 1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima = -55 °CV