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MOSFET onsemi NTMJS1D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 300 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-1890259
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTMJS1D0N04CTWG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador LFPAK-E Package, Industry Standard Estos dispositivos no contienen plomo
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
300 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
40 V
Tipo de Encapsulado:
LFPAK8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
920 μΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
166 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
±20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 1890259, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTMJS1D0N04CTWG
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 7.305,00*
1 envase contiene 3.000 unidades (€ 2,435* por unidad)
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